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多管并联SiC MOSFET驱动电路串扰抑制方法

  第 51卷第 9期 2017年 9月 电 力 电子 技 术 Power Electronics September 2017 多管并联 SiC MOSFET驱动电路串扰抑制方法 柴艳鹏 ,李亚斌 ,刘永飞 ,安 国亮 (1.保定 四方三伊电气有限公司 ,河北 保定 071023;2.华北电力大学,电力工程系,河北 保定 071003) 摘要:为解决大功率高频串联谐振逆变器中多管并联碳化硅(SiC)金属一氧化物半导体场效应 晶体管(MOSFET) 驱动电路存在的串扰问题 ,分析了驱动电路串扰 问题产生的机理和常用驱动串扰抑制方法,优化了驱动电路 结构和器件参数 ,设计 了一种具有 串扰抑制作用的多管并联 SiC MOSFET驱动 电路。搭建了一台 SiC MOSF...

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